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深圳市海立辉科技有限公司
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产品信息
一般描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的,
平面条纹,DMOS技术。这种先进的技术已经特别适合
限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,并承受高能量脉冲
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的,
平面条纹,DMOS技术。这种先进的技术已经特别适合
限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,并承受高能量脉冲
雪崩和换向模式。这些器件非常适合高效率开关模式电源。
特征
•11A,900V,RDS(on)=1.1Ω@ VGS = 10 V.
•低门电荷(典型值60 nC)
•低Crs(典型值23 pF)
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进的dv / dt能力
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