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深圳市海立辉科技有限公司
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产品信息
5A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF5N60T/F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体
管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。
产品规格分类
|
产 品 名 称 |
封装形式 |
打印名称 |
材料 |
包装形式 |
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SVF5N60T |
TO-220-3L |
SVF5N60T |
无铅 |
料管 |
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SVF5N60F |
TO-220F-3L |
SVF5N60F |
无铅 |
料管 |
|
SVF5N60D |
TO-252-2L |
SVF5N60D |
无铅 |
料管 |
|
SVF5N60DTR |
TO-252-2L |
SVF5N60D |
无铅 |
编带 |
|
SVF5N60MJ |
TO-251J-3L |
SVF5N60MJ |
无铅 |
料管 |
