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深圳市海立辉科技有限公司
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产品信息
< 100mA 非隔离 BP~240VAC 0.4 250V/65mA 90% 无需EMI器件；光电一体引擎方便生产； 相比CRD而言，有更好的效率和更小的输入功率波动
< 220mA 非隔离 BP2832A 176~264VAC 0.5 130V/120mA 92% 内置功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁；单绕组电感； 自带OVP保护；仅10个外围元件
< 350mA 非隔离 BP2833A/BP2833D 176~264VAC 0.9 80V/240mA 92% 内置高压功率MOSFET；单绕组电感；内置OVP保护。
< 500mA 非隔离 BP2836D 176~264VAC 0.9 130V/300mA 92% 内置高压功率MOSFET；单绕组电感；内置OVP保护。
< 350mA 非隔离 BP2327A 176~264VAC 0.9 80V/240mA 93% APFC技术；内置高压功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁； 超小体积（日光灯单堵头）；单绕组电感；自带OVP保护；恒流精度极高；
< 350mA 非隔离 BP2328A/BP2328D 90~264VAC 0.9 80V/240mA 93% APFC技术；内置高压功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁； 超小体积（日光灯单堵头）；单绕组电感；自带OVP保护；恒流精度极高；
< 220mA 非隔离 BP2832A 176~264VAC 0.5 130V/120mA 92% 内置功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁；单绕组电感； 自带OVP保护；仅10个外围元件
< 350mA 非隔离 BP2833A/BP2833D 176~264VAC 0.9 80V/240mA 92% 内置高压功率MOSFET；单绕组电感；内置OVP保护。
< 500mA 非隔离 BP2836D 176~264VAC 0.9 130V/300mA 92% 内置高压功率MOSFET；单绕组电感；内置OVP保护。
< 350mA 非隔离 BP2327A 176~264VAC 0.9 80V/240mA 93% APFC技术；内置高压功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁； 超小体积（日光灯单堵头）；单绕组电感；自带OVP保护；恒流精度极高；
< 350mA 非隔离 BP2328A/BP2328D 90~264VAC 0.9 80V/240mA 93% APFC技术；内置高压功率MOSFET；温度控制技术确保高温工作不闪烁； 超小体积（日光灯单堵头）；单绕组电感；自带OVP保护；恒流精度极高；